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MSPM0在指定Flash地址开拓模拟EEPROM

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简介在嵌入式零星中，诸如变频器以及伺服驱动器等工业运用，致使CD播放器等泛滥破费电子产物，都需要保存最近的用户配置，不才次上电后加载运用。假如运用MCU内置Flash，艰深擦写次数限度在10k次，无奈知足 ...

在嵌入式零星中，指定址开诸如变频器以及伺服驱动器等工业运用，拓模致使CD播放器等泛滥破费电子产物，指定址开都需要保存最近的拓模用户配置，不才次上电后加载运用 。指定址开假如运用MCU内置Flash ，拓模艰深擦写次数限度在10k次 ，指定址开无奈知足寿命以及持久性要求，拓模以是指定址开只能经由外置EEPROM实现。

本文援用地址 ：TI新推出的拓模MSPM0系列MCU反对于运用Flash模拟EEPROM时需要在Lower32KB开拓EEPROM专用地域的工况 ，提出运用SECTIONS调配的指定址开方式处置与EEPROM以及Code可能重合的下场  ，配合SDK的拓模Flash操作 ，可能很简略实现EEPROM在恣意Flash地域的指定址开开拓。

拓模

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